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W632GG6KB12I 发布时间 时间:2025/8/21 6:48:09 查看 阅读:6

W632GG6KB12I 是一款由 Winbond(华邦电子)生产的高性能、低功耗的 NOR Flash 存储器芯片,属于其高性能 HyperFlash 系列。该芯片采用 12-pin HyperBus 接口,专为需要高速数据访问和代码执行的应用设计。HyperFlash 存储器结合了 NOR Flash 的随机读取性能和 NAND Flash 的高容量和低成本优势,适用于嵌入式系统、工业控制、汽车电子、物联网设备等领域。W632GG6KB12I 的容量为 2 Gb(Gigabit),即 256 MB(Megabyte),适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。

参数

型号:W632GG6KB12I
  制造商:Winbond(华邦电子)
  存储类型:NOR Flash
  接口:HyperBus
  容量:2 Gb / 256 MB
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大工作频率:166 MHz
  读取带宽:800 MB/s(双倍数据速率 DDR)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:12-pin WSON
  封装尺寸:8mm x 6mm
  随机访问时间:小于 50ns
  编程/擦除电压:内部电荷泵提供高压
  

特性

W632GG6KB12I 是一款高性能 NOR Flash 存储器,具有多个显著的技术优势和特点。
  首先,该芯片采用 HyperBus 接口技术,支持双倍数据速率(DDR),最大工作频率可达 166 MHz,从而实现高达 800 MB/s 的读取带宽。这种高速性能使得它特别适合用于需要快速启动和执行代码的应用,如汽车导航系统、工业控制器和高性能嵌入式设备。
  其次,W632GG6KB12I 支持宽电压范围(2.3V 至 3.6V),增强了其在不同电源环境下的适用性。此外,该芯片内置电荷泵电路,用于提供编程和擦除所需的高压,减少了对外部高压电源的需求,从而简化了系统设计并降低了功耗。
  在可靠性方面,W632GG6KB12I 支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保其在各种恶劣环境下的稳定运行。其封装形式为 12-pin WSON,尺寸为 8mm x 6mm,具有良好的空间适应性,适合高密度 PCB 布局。
  该芯片还具备随机访问时间低于 50ns 的特性,进一步提升了其在执行代码时的性能表现。此外,HyperFlash 架构允许在读取数据的同时进行写入操作(Read-While-Write),提高了系统的并发处理能力。
  总体而言,W632GG6KB12I 是一款兼具高性能、低功耗和高可靠性的 NOR Flash 存储器,特别适用于对实时性和存储容量有较高要求的嵌入式系统和工业应用。

应用

W632GG6KB12I 主要应用于需要高速非易失性存储和代码执行的场景。典型应用包括汽车电子系统(如车载信息娱乐系统、仪表盘控制器)、工业控制系统(如可编程逻辑控制器 PLC、工业 HMI)、物联网设备(如智能网关、边缘计算设备)、通信设备(如路由器、交换机)、消费类电子产品(如高端智能手机、平板电脑的辅助存储)以及医疗电子设备(如便携式诊断设备、远程监控设备)。在这些应用中,该芯片能够提供快速的启动时间和高效的数据存储能力,同时满足严苛的环境要求和可靠性标准。

替代型号

W631GG6KB12I, W632G18ASB12I, W632G18ABB12I, W632G18ABY12I

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W632GG6KB12I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-WBGA(9x13)