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GA1210Y123KXJAR31G 发布时间 时间:2025/5/28 10:43:55 查看 阅读:13

GA1210Y123KXJAR31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要应用于无线通信领域。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具备高增益、高线性度和低噪声的特点,适合在高频段下工作。它广泛用于基站、卫星通信设备以及雷达系统中。

参数

型号:GA1210Y123KXJAR31G
  工作频率范围:800 MHz - 3 GHz
  增益:20 dB
  输出功率:40 dBm
  电源电压:5 V
  电流消耗:800 mA
  封装形式:QFN-16

特性

GA1210Y123KXJAR31G 的设计注重效率与性能之间的平衡。其关键特性包括:
  1. 高效率的能量转换,减少散热需求。
  2. 内置匹配网络,简化了外部电路设计并提升了稳定性。
  3. 宽带支持能力,使其能够适应多种通信标准。
  4. 出色的线性度表现,有助于降低失真和干扰。
  5. 集成了保护电路,防止过压或过热损坏器件。
  6. 支持表面贴装技术(SMT),提高了自动化生产效率。

应用

这款芯片适用于需要高可靠性和高功率输出的应用场景,例如:
  1. 无线基础设施中的基站收发信机。
  2. 卫星通信系统中的上行链路放大器。
  3. 雷达系统的发射模块。
  4. 工业、科学和医疗(ISM)频段内的设备。
  5. 测试测量仪器中的信号增强部分。

替代型号

GA1210Y123KXJBR20F

GA1210Y123KXJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-