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GA1210H393KXAAR31G 发布时间 时间:2025/5/22 11:30:05 查看 阅读:16

GA1210H393KXAAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和功率转换等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  其封装形式为 PQFN4X4-16L,适合表面贴装技术 (SMT),能够有效减少寄生电感并提高整体系统效率。

参数

型号:GA1210H393KXAAR31G
  类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):5mΩ
  ID(连续漏极电流):70A
  Qg(栅极电荷):28nC
  fSW(最大工作频率):1MHz
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装:PQFN4X4-16L

特性

GA1210H393KXAAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),有助于降低传导损耗并提高能效。
  2. 高开关速度设计,能够适应高频应用需求。
  3. 小型化的 PQFN 封装,节省 PCB 空间,同时提供优秀的散热能力。
  4. 耐高温能力出色,能够在极端环境下稳定运行。
  5. 具备静电防护功能,提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代工业生产。

应用

该器件适用于以下应用场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的逆变桥臂元件。
  3. 汽车电子领域中的负载开关和保护电路。
  4. 工业控制设备中的高速切换模块。
  5. 笔记本电脑适配器及消费类电子产品中的功率管理单元。
  由于其高效和紧凑的设计,GA1210H393KXAAR31G 成为众多高密度和高效率应用的理想选择。

替代型号

GA1210H393KXAAR21G
  IRF7772
  FDP5800
  AON7701

GA1210H393KXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.039 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-