时间：2025/5/22 11:32:04
阅读：20
GA1210H393JBAAT31G 是一款由 GaN Systems 公司生产的增强型氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (eGaN FET)，采用垂直沟道结构，具有极低的导通电阻和快速开关性能。这种器件特别适合高效率、高频应用场合，如电源适配器、数据中心电源、无线充电设备以及工业电机驱动等。
该器件内置了保护功能以确保在极端工作条件下的稳定性，并且由于其出色的热性能和小尺寸封装，能够显著提升功率密度并减少系统体积。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
Vds（漏源击穿电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：80mΩ
Qg（总栅极电荷）：45nC
Id（最大连续漏极电流）：17A
Tj（结温范围）：-40°C 至 +150°C
封装形式：8x8mm PDFN
这款 GaN 晶体管具备以下突出特点：
1. 高效率：得益于超低 Rds(on) 和快速开关速度，可以实现更高的转换效率。
2. 小尺寸与轻量化设计：相比传统硅基 MOSFET，GaN 器件能够在更小的空间内提供相同的功率输出。
3. 热性能优越：更低的热阻使其在高温环境下仍能保持稳定运行。
4. 快速开关能力：支持 MHz 级别的开关频率，非常适合高频 AC-DC 或 DC-DC 转换器。
5. 易于驱动：兼容标准逻辑电平输入，简化了控制电路设计。
该型号适用于多种高要求的应用场景，包括但不限于：
1. 电源管理领域中的高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 数据中心和服务器电源解决方案。
3. 新能源汽车车载充电机 (OBC) 和逆变器。
4. 工业级马达驱动和不间断电源 (UPS)。
5. 消费电子产品的快速充电器和适配器。
6. 无线电力传输系统。
7. 可再生能源发电中的光伏微型逆变器及储能设备。
GS66508T, EPC2045
