时间：2025/9/12 11:42:12
阅读：14
KU10S40N 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理系统和功率开关应用。这款器件采用了先进的沟槽式技术，以确保在高压和大电流条件下的稳定性和可靠性。KU10S40N具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这有助于降低功率损耗，提高系统的整体效率。它广泛应用于如DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：最大40mΩ
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KU10S40N MOSFET的显著特性之一是其非常低的导通电阻，这使其在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。
该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电场分布，从而增强了器件的可靠性和耐用性。
其40V的最大漏源电压设计使其适用于多种中等电压功率应用，例如电源管理模块和电池供电设备。
其工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境和高可靠性要求的应用场景。
KU10S40N 主要应用于需要高效功率管理的场合，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理系统。
由于其低导通电阻和高电流处理能力，它常用于便携式电子设备中的电池供电系统，以延长电池寿命并提高能效。
此外，KU10S40N也广泛应用于马达控制、电源分配系统、LED驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关控制。
其良好的热性能和稳定性也使其成为车载电子系统和工业电源模块中的理想选择。
TKA10S40N, IRFZ44N, FDPF40N10, STP40NF10
