时间：2025/6/9 17:52:39
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GA1210H333MBXAT31G 是一款高性能的存储芯片，主要应用于需要大容量、高速数据传输和低功耗的场景。该芯片采用了先进的制造工艺，确保了其在性能和稳定性方面的优异表现。此型号属于 NAND Flash 类型，适合用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备以及其他需要高效数据管理的应用中。
这款芯片以高密度存储为核心特点，同时具备出色的耐用性和可靠性，能够满足工业级和消费级市场的需求。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle DDR 2.0
电压：1.8V
封装：BGA
工作温度：-40°C ~ +85°C
数据保留时间：>10年
擦写周期：3000次
GA1210H333MBXAT31G 芯片采用了最新的 3D TLC NAND 技术，大幅提升了存储密度和读写速度，同时降低了单位存储成本。该芯片支持 Toggle DDR 2.0 接口协议，使得数据传输速率显著提高。此外，内置的 ECC（错误检查与纠正）功能有效提升了数据的完整性和可靠性。
在功耗方面，该芯片通过优化的电路设计实现了更低的工作电流和待机电流，非常适合对能耗敏感的应用环境。其宽泛的工作温度范围也使其能够适应各种恶劣条件下的使用需求。
GA1210H333MBXAT31G 广泛应用于需要高效数据存储和快速访问的领域，例如消费类电子产品的固态硬盘（SSD），如笔记本电脑、平板电脑等；工业级应用中的数据记录器、监控系统和自动化设备；以及嵌入式系统的存储模块，如网络路由器、机顶盒等。
由于其高可靠性和长寿命特性，该芯片还被广泛用于汽车电子和医疗设备等对数据安全性要求极高的场合。
GA1210H666MBXAT31G
GA1210H333MBXBT31G
