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GA1210H333KXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/9 17:51:52 查看 阅读:16

GA1210H333KXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升电路效率并降低功耗。
  其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT),有助于提高生产自动化水平和可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关时间:典型值 9ns(开启),28ns(关闭)
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 内置反向恢复二极管,优化了续流路径,进一步提高了效率。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 支持大电流操作,适用于工业级负载需求。
  7. 提供卓越的热稳定性,确保在极端温度环境下的可靠运行。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 汽车电子系统中的电机控制和电池管理。
  3. 工业设备中用于驱动大功率负载的逆变器。
  4. 通信电源和不间断电源(UPS)的核心组件。
  5. 各类高效DC-DC转换器设计。
  6. LED照明系统的恒流驱动电路。

替代型号

IRFZ44N, FDP5580, STP40NF06L

GA1210H333KXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-