IXFV52N30PS 时间：2024/9/23 11:38:05 阅读：151

参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：PolarHT?
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：66毫欧 500mA,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：300V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：52A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：5V 4mA
　　闸电荷(Qg) Vgs：110nC 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：3490pF 25V
　　功率-最大：400W

封装参数

安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：PLUS-220SMD
　　包装：管件

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IXFV52N30PS
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IXFV52N30PS参数

标准包装50
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列PolarHT™ HiPerFET™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C52A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C66 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds3490pF @ 25V
功率 - 最大400W
安装类型表面贴装
封装/外壳PLUS-220SMD
供应商设备封装PLUS-220SMD
包装管件