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GA1210H273MXAAR31G 发布时间 时间:2025/5/24 19:53:37 查看 阅读:12

GA1210H273MXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够在高频条件下实现高效的功率转换。
  该芯片属于增强型 N 沟道 MOSFET,适用于需要高效率和低功耗的设计场景。

参数

型号:GA1210H273MXAAR31G
  类型:N沟道 MOSFET
  电压等级:1200V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:65mΩ(典型值)
  栅极电荷:120nC(最大值)
  输入电容:1800pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210H273MXAAR31G 具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压:该器件支持高达 1200V 的阻断电压,适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为 65mΩ,能够有效降低导通损耗。
  3. 快速开关性能:由于其较低的栅极电荷,可以实现快速的开关操作,从而减少开关损耗。
  4. 稳定性强:即使在高温环境下,该芯片仍然保持出色的性能和可靠性。
  5. 封装优势:采用 TO-247 封装,提供良好的散热性能和机械强度。

应用

GA1210H273MXAAR31G 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动:作为主功率器件控制电机的运行状态。
  3. 太阳能逆变器:实现高效的能量转换和传输。
  4. 工业自动化设备:为各类工业控制系统提供可靠的功率输出。
  5. 电动汽车充电装置:适用于快充系统中的功率调节单元。

替代型号

GA1210H274MXAAR31G, IRFP460, FQA40P120

GA1210H273MXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-