GA1210H273MXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够在高频条件下实现高效的功率转换。
该芯片属于增强型 N 沟道 MOSFET,适用于需要高效率和低功耗的设计场景。
型号:GA1210H273MXAAR31G
类型:N沟道 MOSFET
电压等级:1200V
连续漏极电流:40A
导通电阻:65mΩ(典型值)
栅极电荷:120nC(最大值)
输入电容:1800pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
GA1210H273MXAAR31G 具有以下显著特性:
1. 高击穿电压:该器件支持高达 1200V 的阻断电压,适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为 65mΩ,能够有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能:由于其较低的栅极电荷,可以实现快速的开关操作,从而减少开关损耗。
4. 稳定性强:即使在高温环境下,该芯片仍然保持出色的性能和可靠性。
5. 封装优势:采用 TO-247 封装,提供良好的散热性能和机械强度。
GA1210H273MXAAR31G 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动:作为主功率器件控制电机的运行状态。
3. 太阳能逆变器:实现高效的能量转换和传输。
4. 工业自动化设备:为各类工业控制系统提供可靠的功率输出。
5. 电动汽车充电装置:适用于快充系统中的功率调节单元。
GA1210H274MXAAR31G, IRFP460, FQA40P120