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GA1210H273KXAAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 17:57:18 查看 阅读:10

GA1210H273KXAAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要用于射频通信领域。该芯片采用先进的工艺技术制造,能够在高频段下提供卓越的增益和输出功率表现,同时保持较低的噪声系数。其广泛应用于无线通信设备、基站以及射频模块中。
  这款芯片具有高集成度和良好的线性度,能够满足现代通信系统对效率和性能的严格要求。

参数

型号:GA1210H273KXAAT31G
  工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  输出功率:30 dBm
  增益:15 dB
  电源电压:4.8 V
  电流消耗:典型值 250 mA
  封装形式:QFN 5x5 mm
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  噪声系数:小于 3.5 dB

特性

GA1210H273KXAAT31G 的主要特性包括:
  1. 高输出功率和高增益设计,确保在高频应用中表现出色。
  2. 具备出色的线性度和效率,支持复杂的调制方式,如 OFDM 和 QAM。
  3. 内置匹配网络,简化外部电路设计并减少元件数量。
  4. 提供稳定的性能,即使在宽泛的工作温度范围内也能正常运行。
  5. 支持多种电源管理选项,便于优化功耗。
  6. 封装小巧,适合空间受限的应用场景。

应用

该芯片适用于以下应用领域:
  1. LTE 和 5G 基站中的射频前端模块。
  2. 移动通信设备,例如便携式收发器和无线接入点。
  3. 工业无线通信系统,如远程监控和数据采集设备。
  4. 高性能射频测试设备及仪器仪表。
  5. 卫星通信与导航系统的信号放大环节。

替代型号

GA1210H272KXAAT31G, GA1211H273KXAAT31G

GA1210H273KXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-