时间：2025/5/30 17:56:19
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GA1210H273JBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，能够显著提升系统的整体效率并减少能量损耗。
该型号为N沟道增强型MOSFET，适合在高频开关条件下使用，同时具备良好的抗浪涌电流能力，适用于多种工业及消费类电子产品。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：27A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：1200pF
开关时间：开启时间14ns，关闭时间22ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，并适配高频应用环境。
3. 高度集成的保护功能，如过流保护和短路保护，确保稳定运行。
4. 小型化的封装设计，节省PCB空间，便于高密度布局。
5. 具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持优良性能。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，支持无铅焊接工艺。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
4. LED照明驱动电路中的负载切换元件。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和负载控制部分。
GA1210H273JBAAR31G-A, IRFZ44N, FDP5501
