容量：4Mb（1M×4）
　　组织结构：1M地址×4位
　　电源电压：5V
　　访问时间：100ns/12ns/150ns/200ns（根据具体后缀）
　　封装形式：SOJ（Small Outline J-Lead）或TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：28/32（根据封装类型）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
　　封装尺寸：依据封装类型不同而异
　　最大工作频率：约10MHz（取决于访问时间）

HM514400BLS6是一款异步DRAM芯片，具有良好的兼容性和稳定性，适用于多种老旧系统的内存扩展和替换。其采用标准的DRAM架构，支持异步操作，能够适应不同的系统时钟频率。芯片的访问时间有多种选择，包括100ns、120ns、150ns和200ns等，用户可以根据具体应用需求选择合适速度的型号。
　　该芯片支持标准的CMOS工艺，具有较低的功耗和较高的集成度。其封装形式包括SOJ和TSOP两种，适合不同的PCB布局和安装需求。此外，HM514400BLS6具备较高的可靠性和耐用性，能够在工业环境条件下稳定运行。
　　该DRAM芯片的1M×4位组织结构使其适用于需要扩展存储容量的场合，如老式PC、工业控制板、通信设备和嵌入式系统等。虽然其容量在现代标准中显得较小，但在当时仍是一种较为流行的存储解决方案。

HM514400BLS6主要用于早期的个人计算机、嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中作为主存储器或缓存使用。它常见于需要扩展存储容量的主板和外设卡上，尤其是在那些对内存带宽要求不高的系统中。由于其异步特性，该芯片也适用于需要与不同系统时钟同步的场合。此外，该芯片在一些老式游戏机、打印机和自动化控制系统中也有广泛应用。

TC55416BFT-70, CY62148BLL-55ZXI, HM5216800BFP