时间：2025/6/29 10:08:39
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GA1210H224MBXAR31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。该型号主要用于大容量数据存储场景，具备高速读写性能和高可靠性，广泛应用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统中。
该芯片采用先进的制程工艺制造，具有较低的功耗和较高的存储密度，能够满足现代电子设备对高效能存储的需求。
容量：128GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
数据传输速率：400MT/s
封装形式：BGA
工作温度范围：-25℃ 至 +85℃
擦写寿命：3000次（典型值）
GA1210H224MBXAR31G 芯片采用了最新的 NAND 技术，支持多级单元（MLC）架构，提供更高的存储密度和更低的成本。
其 Toggle Mode 2.0 接口确保了快速的数据传输能力，特别适合需要高带宽的应用场景。
此外，该芯片内置 ECC（错误校正码）功能，可显著提高数据的可靠性和稳定性。
在低功耗设计方面，该芯片支持多种省电模式，例如深度掉电模式，以延长电池供电设备的续航时间。
同时，它还支持多种高级功能，如坏块管理、磨损均衡以及安全擦除等，进一步增强了其在复杂环境下的适用性。
GA1210H224MBXAR31G 主要用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备中的内部存储。
2. SSD 固态硬盘模块，作为计算机的主要存储介质。
3. 工业自动化设备中的日志记录和数据缓存。
4. 嵌入式系统中的固件存储。
5. 监控录像设备中的视频数据存储。
6. 物联网终端设备中的数据存储组件。
GA1210H224MBXAR31A
GA1210H224MBXAR31B
GA1210H224MBXAR31C
