时间：2025/5/29 0:10:16
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GA1210H184MBXAT31G 是一款高性能的工业级 NAND 闪存芯片，主要应用于数据存储领域。该芯片采用先进的制程工艺制造，具备高容量、高可靠性和低功耗的特点，广泛适用于嵌入式系统、消费电子以及工业控制等领域。其设计旨在满足对存储性能和稳定性的严苛要求。
该型号属于SLC（单层单元）NAND闪存系列，相较于MLC/TLC类型，具备更高的写入速度、更长的擦写寿命和更好的数据可靠性。
容量：16GB
接口类型：SPI NOR Flash
工作电压：2.7V 至 3.6V
读取速度：最高可达 50 MB/s
写入速度：最高可达 15 MB/s
擦写寿命：100,000 次
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA-169
数据保持时间：大于10年
GA1210H184MBXAT31G 提供卓越的数据存储解决方案，具有以下显著特性：
1. 高耐用性：作为SLC NAND，它拥有高达10万次的擦写寿命，非常适合频繁写入的应用场景。
2. 稳定的性能表现：在极端温度环境下依然能够保证正常运行，适合工业和户外应用。
3. 安全机制：内置ECC（错误校正码）引擎，可有效检测和纠正数据传输过程中的错误，确保数据完整性。
4. 小型化设计：采用紧凑的BGA封装，节省PCB空间，便于集成到各类小型设备中。
5. 快速访问：优化的内部架构支持高速读写操作，提升系统整体响应速度。
GA1210H184MBXAT31G 主要用于需要大容量存储且对可靠性和速度有较高要求的场景，包括但不限于以下领域：
1. 嵌入式系统：如路由器、交换机和其他网络设备。
2. 工业自动化：如PLC控制器、人机界面（HMI）等。
3. 医疗设备：如监护仪、超声波设备等。
4. 车载电子：如行车记录仪、车载信息娱乐系统。
5. 消费类电子产品：如智能音箱、平板电脑等。
GA1210H184MBXAT21G
GA1210H184MBXBT31G
MX25L12835F
