GA1210H184MBXAT31G 是一款高性能的工业级 NAND 闪存芯片,主要应用于数据存储领域。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备高容量、高可靠性和低功耗的特点,广泛适用于嵌入式系统、消费电子以及工业控制等领域。其设计旨在满足对存储性能和稳定性的严苛要求。
该型号属于SLC(单层单元)NAND闪存系列,相较于MLC/TLC类型,具备更高的写入速度、更长的擦写寿命和更好的数据可靠性。
容量:16GB
接口类型:SPI NOR Flash
工作电压:2.7V 至 3.6V
读取速度:最高可达 50 MB/s
写入速度:最高可达 15 MB/s
擦写寿命:100,000 次
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA-169
数据保持时间:大于10年
GA1210H184MBXAT31G 提供卓越的数据存储解决方案,具有以下显著特性:
1. 高耐用性:作为SLC NAND,它拥有高达10万次的擦写寿命,非常适合频繁写入的应用场景。
2. 稳定的性能表现:在极端温度环境下依然能够保证正常运行,适合工业和户外应用。
3. 安全机制:内置ECC(错误校正码)引擎,可有效检测和纠正数据传输过程中的错误,确保数据完整性。
4. 小型化设计:采用紧凑的BGA封装,节省PCB空间,便于集成到各类小型设备中。
5. 快速访问:优化的内部架构支持高速读写操作,提升系统整体响应速度。
GA1210H184MBXAT31G 主要用于需要大容量存储且对可靠性和速度有较高要求的场景,包括但不限于以下领域:
1. 嵌入式系统:如路由器、交换机和其他网络设备。
2. 工业自动化:如PLC控制器、人机界面(HMI)等。
3. 医疗设备:如监护仪、超声波设备等。
4. 车载电子:如行车记录仪、车载信息娱乐系统。
5. 消费类电子产品:如智能音箱、平板电脑等。
GA1210H184MBXAT21G
GA1210H184MBXBT31G
MX25L12835F