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GA1210H183MXXAT31G 发布时间 时间:2025/6/16 13:10:39 查看 阅读:5

GA1210H183MXXAT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 DDR4 SDRAM 类型。它主要用于需要高带宽和低功耗的应用场景,例如服务器、工作站和高端计算设备。
  该芯片具有快速的数据传输能力和较高的可靠性,支持 ECC(错误检查与纠正)功能,以确保数据完整性。此外,其设计符合 JEDEC 标准,能够与其他兼容的 DDR4 设备无缝协作。

参数

类型:DDR4 SDRAM
  容量:16Gb
  电压:1.2V
  频率:3200MT/s
  I/O 配置:x4/x8/x16
  封装:FBGA
  引脚数:78-ball
  工作温度范围:-40°C 到 +125°C

特性

GA1210H183MXXAT31G 具有以下显著特性:
  1. 支持高达 3200MT/s 的数据传输速率,满足高性能计算需求。
  2. 内置 ECC 功能,可检测并修正单比特错误,从而提高系统可靠性。
  3. 符合 JEDEC DDR4 标准,确保与其他 DDR4 设备的兼容性。
  4. 超低功耗设计,有助于降低整体能耗。
  5. 提供多种 I/O 配置(x4/x8/x16),灵活性强,适合不同的应用场景。
  6. 广泛的工作温度范围使其能够在各种环境中稳定运行。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 数据中心和服务器系统,提供高速内存支持。
  2. 工作站和高性能计算机,用于处理复杂计算任务。
  3. 网络通信设备,如路由器和交换机,保证高效数据传输。
  4. 嵌入式系统,为工业自动化和医疗设备等提供可靠的内存解决方案。
  5. 游戏硬件和其他需要高带宽内存的消费电子设备。

替代型号

GA1210H183MXXBT31G
  GA1210H183MXXCT31G

GA1210H183MXXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-