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GA1210H153MBXAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 9:01:50 查看 阅读:11

GA1210H153MBXAR31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信领域中的基站设备。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高线性度和低功耗的特点,能够满足现代通信系统对信号质量的严格要求。它支持多频段操作,并提供出色的效率和稳定性。
  该芯片集成了多种功能模块,包括驱动级放大器、输出级功率放大器以及匹配网络等,从而减少了外部元件的需求,简化了设计流程并降低了整体成本。

参数

型号:GA1210H153MBXAR31G
  类型:射频功率放大器
  频率范围:1800 MHz 至 2200 MHz
  增益:17 dB
  输出功率(P1dB):45 dBm
  效率:55%
  工作电压:12V
  静态电流:500 mA
  封装形式:QFN-32

特性

GA1210H153MBXAR31G 具有以下主要特性:
  1. 高增益与高线性度:能够在较宽的频率范围内提供稳定的增益输出,并且保持良好的线性度,减少信号失真。
  2. 多频段支持:适合多种无线通信标准,如 LTE 和 5G NR。
  3. 内置匹配网络:减少了对外部无源元件的依赖,提高了集成度。
  4. 热性能优异:采用高效的散热设计,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。
  5. 小型化封装:QFN-32 封装使其易于安装到紧凑型 PCB 板上。
  6. 可靠性强:经过严格的可靠性测试,适用于各种恶劣环境下的长期使用。

应用

该芯片的主要应用场景包括:
  1. 基站射频功率放大:
   - 能够为宏基站、微基站以及皮基站提供强大的射频信号放大力量。
  2. 固定无线接入设备:
   - 在 FWA(Fixed Wireless Access)系统中起到关键作用,提供可靠的数据传输能力。
  3. 专用无线通信系统:
   - 如公共安全网络、工业物联网等领域的高功率射频放大需求。
  4. 测试与测量仪器:
   - 用于实验室环境中生成高质量的射频信号。

替代型号

GA1210H152MBXAR31G, GA1210H154MBXAR31G

GA1210H153MBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-