时间：2025/8/6 4:17:10
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IXFP8N85X 是由 IXYS 公司生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、高电流的应用设计。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、太阳能逆变器以及工业自动化设备等应用。IXFP8N85X 采用 TO-263 封装（也称为 D2Pak），具有良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：850V
最大漏极电流 Id：8A
最大功耗 Pd：125W
导通电阻 Rds(on)：典型值 2.1Ω（最大 2.7Ω）
栅极阈值电压 Vgs(th)：2.1V ~ 4.0V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
IXFP8N85X 的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达 850V，使其非常适合用于高压电源系统。该器件的导通电阻较低，典型值为 2.1Ω，最大为 2.7Ω，在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗，减少发热。此外，其最大漏极电流为 8A，能够满足多种中高功率应用的需求。
该 MOSFET 具有优异的开关性能，支持高频操作，从而提高电源转换效率并减小外部元件的尺寸。TO-263 封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。此外，IXFP8N85X 还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护，延长器件的使用寿命。
在栅极控制方面，该器件的栅极阈值电压范围为 2.1V 至 4.0V，允许使用标准逻辑电平进行驱动，提高了设计的灵活性。IXFP8N85X 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于各种严苛的工业和电力电子应用。
IXFP8N85X 主要用于需要高电压和中等电流能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、逆变器、马达驱动器、LED 照明电源、工业控制设备和太阳能发电系统等。在这些应用中，该 MOSFET 可以作为主开关元件，提供高效的电能转换和稳定的系统性能。由于其良好的热性能和可靠性，IXFP8N85X 也常用于需要长时间连续运行的工业设备和自动化控制系统中。此外，该器件还可用于高电压负载的开关控制，如电磁阀、继电器和传感器电源管理等领域。
STF8N80K5、IRF840、SPW20N80C3、FQA8N80C、IXFP10N85X
