GA1210A822FBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式结构设计,具备低导通电阻、高效率和优良的热性能,非常适合需要高效能与紧凑设计的电子设备。
其封装形式为行业标准的TO-220,能够提供出色的散热性能,同时支持表面贴装或插件安装方式,灵活适应不同的PCB设计需求。
型号:GA1210A822FBCAR31G
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):1200V
RDS(on)(导通电阻):82mΩ
ID(连续漏极电流):22A
Qg(栅极电荷):65nC
fsw(最大工作频率):100kHz
封装:TO-220
工作温度范围:-55℃ to +175℃
GA1210A822FBCAR31G 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 设计,有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高耐压能力 (VDS = 1200V),使其适用于高压应用场景,例如工业电源和新能源设备。
3. 快速开关特性,适合高频操作环境,减少开关损耗。
4. 强劲的电流承载能力 (ID = 22A),确保在大负载条件下稳定运行。
5. 内置静电保护功能,提高芯片的可靠性和抗干扰能力。
6. 支持表面贴装和插件安装两种方式,增强了设计灵活性。
7. 符合RoHS环保标准,满足国际法规要求。
该元器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。
3. 工业电机驱动中的功率控制模块。
4. 新能源系统(如太阳能逆变器、风力发电设备)中的功率管理部分。
5. 高压电源适配器和充电器中的关键功率器件。
6. 各类高频电力电子变换装置。
GA1210A822FBCAR31G-A, IRFP460, STP12NK50Z