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GA1210A822FBCAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 13:45:13 查看 阅读:12

GA1210A822FBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式结构设计,具备低导通电阻、高效率和优良的热性能,非常适合需要高效能与紧凑设计的电子设备。
  其封装形式为行业标准的TO-220,能够提供出色的散热性能,同时支持表面贴装或插件安装方式,灵活适应不同的PCB设计需求。

参数

型号:GA1210A822FBCAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):1200V
  RDS(on)(导通电阻):82mΩ
  ID(连续漏极电流):22A
  Qg(栅极电荷):65nC
  fsw(最大工作频率):100kHz
  封装:TO-220
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1210A822FBCAR31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 设计,有效降低功率损耗并提升系统效率。
  2. 高耐压能力 (VDS = 1200V),使其适用于高压应用场景,例如工业电源和新能源设备。
  3. 快速开关特性,适合高频操作环境,减少开关损耗。
  4. 强劲的电流承载能力 (ID = 22A),确保在大负载条件下稳定运行。
  5. 内置静电保护功能,提高芯片的可靠性和抗干扰能力。
  6. 支持表面贴装和插件安装两种方式,增强了设计灵活性。
  7. 符合RoHS环保标准,满足国际法规要求。

应用

该元器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。
  3. 工业电机驱动中的功率控制模块。
  4. 新能源系统(如太阳能逆变器、风力发电设备)中的功率管理部分。
  5. 高压电源适配器和充电器中的关键功率器件。
  6. 各类高频电力电子变换装置。

替代型号

GA1210A822FBCAR31G-A, IRFP460, STP12NK50Z

GA1210A822FBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-