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GA1210A821KXLAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 13:45:01 查看 阅读:19

GA1210A821KXLAT31G 是一款高性能的 GaAs(砷化镓)工艺制造的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信、卫星通信和雷达系统等领域。该器件具有高增益、高线性度和低失真的特点,适用于需要高效射频信号放大的场景。
  该芯片采用了先进的砷化镓异质结晶体管(pHEMT)技术,能够提供卓越的射频性能,同时具备出色的稳定性和可靠性。其封装形式为符合工业标准的小型表面贴装封装,便于在各种电子设备中集成。

参数

型号:GA1210A821KXLAT31G
  工艺:GaAs pHEMT
  工作频率范围:8-12GHz
  增益:35dB(典型值)
  输出功率(1dB 压缩点):25dBm(最小值)
  饱和输出功率:28dBm(最小值)
  输入匹配阻抗:50Ω
  输出匹配阻抗:50Ω
  电源电压:6V
  静态电流:200mA(典型值)
  封装形式:SMD
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

1. 高增益:GA1210A821KXLAT31G 提供高达 35dB 的增益,能够在高频段实现强大的信号放大功能。
  2. 高效率:采用 GaAs 工艺制造,确保了芯片在高频段的高效率运行。
  3. 宽带支持:该器件的工作频率范围覆盖 8GHz 至 12GHz,适合多种宽带应用需求。
  4. 稳定性与可靠性:经过严格的测试和筛选,保证了在复杂环境下的长期稳定运行。
  5. 小型化设计:采用 SMD 表面贴装封装,有助于减小整体电路板尺寸并提高集成度。

应用

1. 卫星通信系统中的上行链路放大器。
  2. 军事雷达系统中的射频前端模块。
  3. 微波点对点通信系统中的功率放大器。
  4. 无线基础设施设备如基站的射频放大组件。
  5. 测试与测量仪器中的高性能射频信号源。

替代型号

GA1210A822KXLAT31G, GA1210A823KXLAT31G

GA1210A821KXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-