GA1210A821KXLAT31G 是一款高性能的 GaAs(砷化镓)工艺制造的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信、卫星通信和雷达系统等领域。该器件具有高增益、高线性度和低失真的特点,适用于需要高效射频信号放大的场景。
该芯片采用了先进的砷化镓异质结晶体管(pHEMT)技术,能够提供卓越的射频性能,同时具备出色的稳定性和可靠性。其封装形式为符合工业标准的小型表面贴装封装,便于在各种电子设备中集成。
型号:GA1210A821KXLAT31G
工艺:GaAs pHEMT
工作频率范围:8-12GHz
增益:35dB(典型值)
输出功率(1dB 压缩点):25dBm(最小值)
饱和输出功率:28dBm(最小值)
输入匹配阻抗:50Ω
输出匹配阻抗:50Ω
电源电压:6V
静态电流:200mA(典型值)
封装形式:SMD
工作温度范围:-40℃至+85℃
1. 高增益:GA1210A821KXLAT31G 提供高达 35dB 的增益,能够在高频段实现强大的信号放大功能。
2. 高效率:采用 GaAs 工艺制造,确保了芯片在高频段的高效率运行。
3. 宽带支持:该器件的工作频率范围覆盖 8GHz 至 12GHz,适合多种宽带应用需求。
4. 稳定性与可靠性:经过严格的测试和筛选,保证了在复杂环境下的长期稳定运行。
5. 小型化设计:采用 SMD 表面贴装封装,有助于减小整体电路板尺寸并提高集成度。
1. 卫星通信系统中的上行链路放大器。
2. 军事雷达系统中的射频前端模块。
3. 微波点对点通信系统中的功率放大器。
4. 无线基础设施设备如基站的射频放大组件。
5. 测试与测量仪器中的高性能射频信号源。
GA1210A822KXLAT31G, GA1210A823KXLAT31G