容量：128K x 8 位
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：10ns（最大）
　　封装形式：54-TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54-TSOP
　　输入/输出接口：TTL兼容
　　封装类型：表面贴装（SMT）

IS64WV1288EEBLL 具有以下显著特性：
　　首先，它采用高速CMOS工艺，能够实现高达10ns的访问时间，满足对数据访问速度要求较高的应用需求。其异步接口设计使其在不需要时钟同步的情况下即可进行数据的读写操作，提高了系统的灵活性。
　　其次，该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，使其能够兼容多种供电环境，适用于不同的系统设计需求。低功耗设计在待机模式下可将功耗降至最低，适合对能耗敏感的嵌入式系统和便携设备。
　　此外，IS64WV1288EEBLL 支持商业级和工业级温度范围（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境条件下稳定工作，广泛应用于工业控制、通信设备和网络设备等可靠性要求较高的场景。
　　该芯片采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于在空间受限的电路板上布局，同时也支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产与组装。

IS64WV1288EEBLL 主要用于以下应用场景：
　　在工业控制系统中，该SRAM芯片常用于缓存关键数据、临时存储运行参数或作为高速缓冲存储器，以提高系统的响应速度和处理能力。
　　在网络设备中，如路由器和交换机，IS64WV1288EEBLL 可用于存储临时路由表、数据包缓存或用于高速数据转发的临时存储单元。
　　在通信设备中，例如基站控制器或数据采集模块，该芯片可用于存储实时采集的数据，以保证数据的快速读写和处理。
　　此外，该芯片也可用于嵌入式系统中的程序存储或数据缓冲，如医疗设备、测试仪器和智能仪表等对可靠性和性能有一定要求的电子设备中。

IS64WV1288EBLL-10B, CY62148EVLL-10Z, IDT71V416SA10P, IS61WV1288EBLL10B