时间：2025/5/30 15:23:18
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GA1210A821JBLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子应用领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够有效提升电路效率并降低功耗。
这款器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，能够在高频工作条件下保持高效能表现。同时，其封装形式具备出色的散热能力，适合于对可靠性要求较高的工业级和消费级应用。
型号：GA1210A821JBLAR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：4900pF
输出电容(Coss)：115pF
反向恢复时间(trr)：45ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关特性，支持高频工作条件下的高效运行。
3. 先进的沟槽式MOSFET结构，提供卓越的电气性能和稳定性。
4. 强大的电流承载能力，可满足大功率应用需求。
5. 良好的热性能设计，确保在高温环境下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保且适合全球市场使用。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品如笔记本适配器、LED驱动器中的功率元件。
6. 新能源领域中电池管理系统(BMS)的相关组件。
GA1210A821JBHAR31G, IRF3205, FDP5500
