GA1210A821JBLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子应用领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提升电路效率并降低功耗。
这款器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,能够在高频工作条件下保持高效能表现。同时,其封装形式具备出色的散热能力,适合于对可靠性要求较高的工业级和消费级应用。
型号:GA1210A821JBLAR31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
总栅极电荷(Qg):75nC
输入电容(Ciss):4900pF
输出电容(Coss):115pF
反向恢复时间(trr):45ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关特性,支持高频工作条件下的高效运行。
3. 先进的沟槽式MOSFET结构,提供卓越的电气性能和稳定性。
4. 强大的电流承载能力,可满足大功率应用需求。
5. 良好的热性能设计,确保在高温环境下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保且适合全球市场使用。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品如笔记本适配器、LED驱动器中的功率元件。
6. 新能源领域中电池管理系统(BMS)的相关组件。
GA1210A821JBHAR31G, IRF3205, FDP5500