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GA1210A821JBLAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 15:23:18 查看 阅读:5

GA1210A821JBLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子应用领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提升电路效率并降低功耗。
  这款器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,能够在高频工作条件下保持高效能表现。同时,其封装形式具备出色的散热能力,适合于对可靠性要求较高的工业级和消费级应用。

参数

型号:GA1210A821JBLAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  总栅极电荷(Qg):75nC
  输入电容(Ciss):4900pF
  输出电容(Coss):115pF
  反向恢复时间(trr):45ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关特性,支持高频工作条件下的高效运行。
  3. 先进的沟槽式MOSFET结构,提供卓越的电气性能和稳定性。
  4. 强大的电流承载能力,可满足大功率应用需求。
  5. 良好的热性能设计,确保在高温环境下的可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合全球市场使用。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器的核心功率器件。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 工业控制设备中的功率管理模块。
  5. 消费类电子产品如笔记本适配器、LED驱动器中的功率元件。
  6. 新能源领域中电池管理系统(BMS)的相关组件。

替代型号

GA1210A821JBHAR31G, IRF3205, FDP5500

GA1210A821JBLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-