D8740180GTH 时间：2025/8/15 22:00:01 阅读：30

D8740180GTH 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：160A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（最大值）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　功耗（PD）：200W

特性

D8740180GTH MOSFET具有极低的导通电阻，确保在高电流应用中减少功率损耗并提高效率。其高耐压能力支持在较宽的工作电压范围内稳定运行，同时具备良好的热稳定性，能够在高温环境下工作而不影响性能。该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。此外，它还具有优异的雪崩能量耐受能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。
　　这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供更高的电流密度和更低的导通损耗。其封装设计有助于有效散热，延长器件寿命。D8740180GTH适用于各种高功率密度和高效率的电力电子系统。