时间：2025/5/29 0:10:51
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GA1210A821GXEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，具有快速开关特性和出色的热稳定性，非常适合要求高效能和可靠性的应用场合。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：82A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：190W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
GA1210A821GXEAT31G 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下也能保持可靠性。
3. 快速开关速度有助于降低开关损耗，并允许更高的工作频率。
4. 优化的 Qg（栅极电荷）设计，可降低驱动损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 良好的热性能使其能够在高功率密度环境下稳定运行。
7. 支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产与组装。
这款功率 MOSFET 广泛适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机控制和驱动电路中的逆变器或斩波器功能。
3. 工业设备中的负载切换和保护。
4. 通信电源和服务器电源模块中的同步整流。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备中的功率管理。
6. 各种需要高效率和大电流处理能力的应用场景。
GA1210A821GXEAJ21G
IRFP260N
STP80NF120
FDP8880
