IRF7855是一款N沟道功率MOSFET,由Vishay公司生产。该器件采用TO-264封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用场合。
这款MOSFET的主要特点是优化的导通电阻和较低的栅极电荷,有助于提升系统效率并降低功耗。其额定电压为60V,能够承受较高的漏源电压,并且在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):139A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ
栅极电荷(Qg):95nC
总栅极电荷(Qgt):115nC
栅源电压(Vgs):±20V
工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
封装形式:TO-264
IRF7855具有以下显著特性:
1. 低导通电阻,仅为1.4mΩ,降低了导通损耗,提升了效率。
2. 高电流承载能力,峰值电流可达139A,适合大功率应用场景。
3. 较低的栅极电荷和快速开关性能,支持高频操作。
4. 优化的热性能设计,能够在高温环境下稳定运行。
5. 采用TO-264封装,便于散热和安装。
6. 宽工作温度范围,从-55℃到+175℃,适应各种恶劣环境。
IRF7855广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和电源模块。
2. 电机驱动和控制,例如工业自动化设备中的直流电机驱动。
3. DC-DC转换器,用于电池管理系统和汽车电子设备。
4. 电动工具和其他需要高效功率转换的应用。
5. 工业逆变器和不间断电源(UPS)系统。
6. 大功率LED驱动电路和照明系统。
IRF7854, IRF7853