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GA1210A821GXCAR31G 发布时间 时间:2025/5/28 10:40:21 查看 阅读:12

GA1210A821GXCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
  这款芯片专为需要高效能与稳定性的应用而设计,其出色的电气特性使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。

参数

型号:GA1210A821GXCAR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装形式:TO-263(DPAK)
  最大漏源电压(Vds):12V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):17W
  工作温度范围(Top):-55°C 至 +175°C

特性

GA1210A821GXCAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,从而提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达100A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
  3. 宽泛的工作温度范围,能够在极端环境下保持稳定的性能输出。
  4. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升动态响应性能。
  5. 优异的热稳定性,确保长时间运行下的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

GA1210A821GXCAR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备中的电压调节。
  3. 电机驱动控制,例如家用电器、工业自动化设备中的无刷直流电机驱动。
  4. 电池保护电路,确保锂离子电池组的安全充放电过程。
  5. 大功率负载切换,如LED照明、太阳能逆变器等。

替代型号

GA1210A821GXCAR29G
  IRL3803
  AON6522

GA1210A821GXCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-