GA1210A821GXCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
这款芯片专为需要高效能与稳定性的应用而设计,其出色的电气特性使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
型号:GA1210A821GXCAR31G
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-263(DPAK)
最大漏源电压(Vds):12V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):17W
工作温度范围(Top):-55°C 至 +175°C
GA1210A821GXCAR31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,从而提高系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达100A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
3. 宽泛的工作温度范围,能够在极端环境下保持稳定的性能输出。
4. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升动态响应性能。
5. 优异的热稳定性,确保长时间运行下的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
GA1210A821GXCAR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备中的电压调节。
3. 电机驱动控制,例如家用电器、工业自动化设备中的无刷直流电机驱动。
4. 电池保护电路,确保锂离子电池组的安全充放电过程。
5. 大功率负载切换,如LED照明、太阳能逆变器等。
GA1210A821GXCAR29G
IRL3803
AON6522