时间：2025/6/9 17:51:28
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GA1210A682KBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺和封装技术，具有较低的导通电阻和极高的开关速度，适用于各种高效率电源转换场景。其主要应用包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。
类型：功率MOSFET
导通电阻（Rds(on)）：6.8mΩ
漏源击穿电压（Vds）：120V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.2V
连续漏极电流（Id）：75A
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃至150℃
GA1210A682KBBAR31G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场景，减少开关损耗。
3. 强大的电流承载能力，支持高达75A的连续漏极电流。
4. 高耐压性能，可承受高达120V的漏源电压。
5. 小型化设计结合高效的散热性能，满足紧凑型设计需求。
6. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS），提供高效稳定的直流输出。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和能量传输。
3. 电机驱动，控制电机的速度和方向。
4. 负载开关，实现电路的快速开闭操作。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统。
GA1210A682KBBAR29G
IRF1200
FDP16N120
STP75N120K5
