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GA1210A682KBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 8:56:52 查看 阅读:11

GA1210A682KBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、低功耗的应用场景设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,适用于多种电力电子应用领域。其封装形式为TO-252,能够提供出色的散热性能和电气特性。

参数

型号:GA1210A682KBAAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):75nC
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装:TO-252

特性

GA1210A682KBAAR31G具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在高电流应用中降低功耗。
  2. 快速的开关速度,适合高频开关电源和电机驱动等应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 具有优异的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长期工作。
  5. 小型化的TO-252封装,简化了PCB布局并提高了系统的紧凑性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特性使得该器件成为工业控制、消费类电子和通信设备的理想选择。

应用

GA1210A682KBAAR31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
  2. 电机驱动和控制电路,如步进电机和无刷直流电机驱动。
  3. DC-DC转换器和逆变器。
  4. 汽车电子中的负载开关和电池管理。
  5. 工业自动化设备中的功率调节和保护电路。
  6. 各种需要高效功率切换的应用场景。
  由于其卓越的电气特性和稳定性,该器件非常适合要求高可靠性的复杂系统。

替代型号

GA1210A682KBAAR31G的替代型号包括但不限于IRFZ44N、STP40NF06L、FDP5800

GA1210A682KBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-