时间：2025/6/17 15:56:52
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GA1210A682FBAAR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，属于增强型场效应晶体管（eGaN FET）。该器件专为高频、高效的应用场景设计，能够显著提高系统性能并减少能量损耗。其卓越的开关速度和低导通电阻特性使其非常适合于电源管理、DC-DC转换器、无线充电、激光雷达以及工业电机驱动等领域。
由于采用先进的半导体材料氮化镓，这款芯片能够在更高的频率下运行，同时保持较低的热耗散，从而实现更小的系统尺寸和更高的功率密度。
型号：GA1210A682FBAAR31G
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
封装形式：LFPAK56D
最大漏源电压：600 V
连续漏极电流：15 A
导通电阻（典型值）：70 mΩ
栅极电荷：95 nC
输入电容（Ciss）：1850 pF
反向传输电容（Crss）：270 pF
总栅极电荷（Qg）：110 nC
开关频率：高达 5 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 超低导通电阻（Rds(on)）使得传导损耗最小化，提升了整体效率。
2. 极快的开关速度支持高频操作，降低了磁性元件的体积和成本。
3. 高击穿电压（Vds）确保了在高压应用中的可靠性和稳定性。
4. 内置保护功能，例如过流保护和短路耐受能力，增强了系统的鲁棒性。
5. 先进的氮化镓技术提供了比传统硅基MOSFET更好的性能指标。
6. 宽广的工作温度范围使其适用于各种极端环境下的工业和汽车级应用。
7. 封装设计优化以提升散热性能，适合大功率应用场景。
1. 高效 DC-DC 转换器设计
2. 开关模式电源（SMPS）
3. 工业电机驱动与控制
4. 激光雷达（LiDAR）系统
5. 快速充电适配器
6. 无线电力传输
7. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器
8. 数据中心服务器电源模块
9. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备
GA1210A682FBAAR31G, EPC2045, GS66508T
