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GA1210A681GXAAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 13:18:01 查看 阅读:10

GA1210A681GXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,适用于多种电源管理场景。
  该芯片主要应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动以及负载开关等领域。其卓越的电气特性和可靠性使其成为高效能功率转换的理想选择。

参数

型号:GA1210A681GXAAT31G
  类型:N沟道 MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  Id(持续漏极电流):28A
  Qg(总栅极电荷):22nC
  fT(截止频率):1.5MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1210A681GXAAT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够支持高频操作,适合现代高效开关电源设计。
  3. 高度优化的栅极电荷设计,降低了驱动功耗。
  4. 强大的雪崩能力和鲁棒性,提高了在恶劣条件下的可靠性。
  5. 小型化的 TO-252 封装,有助于节省 PCB 空间。
  6. 支持宽范围的工作温度,适用于各种工业和消费类电子设备。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 同步整流电路中的整流元件。
  3. DC-DC 转换器中的功率开关。
  4. AC-DC 适配器和充电器模块。
  5. 电池保护电路和负载开关。
  6. 电机驱动和逆变器控制。
  7. 汽车电子中的辅助电源和照明控制。

替代型号

GA1210A681GXAAJ31G
  IRF7739
  FDP5810
  AON6216

GA1210A681GXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-