GA1210A681GXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,适用于多种电源管理场景。
该芯片主要应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动以及负载开关等领域。其卓越的电气特性和可靠性使其成为高效能功率转换的理想选择。
型号:GA1210A681GXAAT31G
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
Id(持续漏极电流):28A
Qg(总栅极电荷):22nC
fT(截止频率):1.5MHz
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
GA1210A681GXAAT31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,能够支持高频操作,适合现代高效开关电源设计。
3. 高度优化的栅极电荷设计,降低了驱动功耗。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性,提高了在恶劣条件下的可靠性。
5. 小型化的 TO-252 封装,有助于节省 PCB 空间。
6. 支持宽范围的工作温度,适用于各种工业和消费类电子设备。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 同步整流电路中的整流元件。
3. DC-DC 转换器中的功率开关。
4. AC-DC 适配器和充电器模块。
5. 电池保护电路和负载开关。
6. 电机驱动和逆变器控制。
7. 汽车电子中的辅助电源和照明控制。
GA1210A681GXAAJ31G
IRF7739
FDP5810
AON6216