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GA1210A562FBBAR31G 发布时间 时间:2025/5/22 14:06:25 查看 阅读:15

GA1210A562FBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等领域。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,支持大电流操作并具备良好的效率表现。其封装形式通常为表面贴装类型,适合现代化电子设备的小型化需求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):4mΩ
  栅极电荷:8nC
  开关时间:ton=12ns, toff=28ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,能够有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用场景,例如开关电源和逆变器。
  3. 强大的散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  4. 小型化封装,易于集成到紧凑型设计中,满足现代电子产品对空间的要求。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应多种恶劣环境下的使用需求。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 各类 DC-DC 转换器模块,如降压或升压转换器。
  4. 电池保护系统中的充放电控制开关。
  5. 工业自动化设备中的功率调节和信号传输部分。

替代型号

IRF540N, STP55NF06L, FDP5500

GA1210A562FBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-