GA1210A561FBLAT31G 是一款高性能的汽车级功率 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,专为高效率和高可靠性应用设计,广泛适用于汽车电子系统中的负载开关、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
该器件支持大电流处理能力,同时具备出色的热性能和电气性能。通过优化的设计结构,它能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。
型号:GA1210A561FBLAT31G
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
Id(连续漏极电流):140A
Vgs(栅源电压):±20V
Qg(总栅极电荷):48nC
Eoss(输出电容能量损耗):15μJ
封装形式:TO-263-3 (D2PAK)
工作温度范围:-40℃ 至 +175℃
GA1210A561FBLAT31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),在高电流应用中减少发热并提升效率。
2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并改善高频下的表现。
3. 符合 AEC-Q101 标准,确保其能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。
4. 高雪崩耐量能力,增强了器件的鲁棒性以应对瞬态电压冲击。
5. 大电流承载能力,适合需要高功率密度的应用。
6. 具备良好的热稳定性,在高温条件下也能保持性能。
7. 小型化封装设计,节省 PCB 空间的同时提供优异的散热性能。
GA1210A561FBLAT31G 广泛应用于汽车电子领域及工业控制设备中,具体应用场景如下:
1. 汽车电子系统中的负载开关与保护电路。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业电源模块中的高效功率转换组件。
5. 电池管理系统中的保护与切换元件。
6. LED 驱动器和其他需要高性能功率管理的场合。
IPA60R099P7S6B1L, FDP16N60AE, IRF540NPBF