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GA1210A391JXLAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:52:11 查看 阅读:9

GA1210A391JXLAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的沟槽式技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动器和开关电源等。此型号专为高效能设计而优化,能够显著降低功耗并提升系统效率。
  该芯片通过优化栅极电荷参数,进一步降低了开关损耗,同时具备良好的热性能和电气稳定性,确保在极端工作条件下的可靠性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装:TOLL
  最大漏源电压(Vdss):60V
  连续漏极电流(Id):285A
  导通电阻(Rds(on)):0.45mΩ
  栅极电荷(Qg):78nC
  总电容(Ciss):4020pF
  工作温度范围:-55℃至175℃
  最大功耗(Pd):250W

特性

GA1210A391JXLAT31G 的主要特点是其极低的导通电阻 (Rds(on)) 和优化的栅极电荷 (Qg),这使得它非常适合高频开关应用。此外,该器件还采用了 TOLL 封装,这种封装形式不仅提高了散热性能,还增强了 PCB 板上的安装灵活性。
  该芯片还具备出色的热稳定性和抗浪涌能力,能够在极端温度范围内保持可靠运行。其高效的能量转换能力有助于减少整体系统的能源消耗,特别适合用于对效率要求较高的工业和消费电子领域。

应用

GA1210A391JXLAT31G 广泛应用于多种电力电子设备中,典型应用场景包括:
  1. 高效 DC-DC 转换器中的主开关元件;
  2. 各类开关模式电源(SMPS)的核心组件;
  3. 工业电机驱动器中的功率级驱动;
  4. 新能源汽车车载充电器及逆变器模块;
  5. 大功率 LED 驱动电路中的关键功率开关。

替代型号

GA1210A391JXGAT31G
  IRFB4110TRPBF
  FDP158N06L
  STP120NF06

GA1210A391JXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-