时间：2025/9/11 7:43:47
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C3M0075120J 是由 Cree/Wolfspeed 公司生产的一款碳化硅（SiC）功率 MOSFET，属于其第三代（C3M）碳化硅技术平台。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性，适用于高效能电力电子系统。C3M0075120J 采用 TO-247 封装，便于散热和集成。
类型：MOSFET（碳化硅）
漏源电压 VDS：1200V
漏极电流 ID：75A
导通电阻 RDS(on)：75mΩ（典型值）
栅极电荷 Qg：150nC（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
C3M0075120J 采用先进的碳化硅材料，具备优异的导热性和高击穿电场强度，能够在高温、高压和高频率环境下稳定工作。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率；同时，SiC 材料的宽禁带特性使其具备更低的开关损耗，从而支持更高的开关频率。此外，该器件的结构设计优化了热管理性能，增强了长期运行的可靠性。
与传统硅基 MOSFET 和 IGBT 相比，C3M0075120J 在效率、功率密度和系统复杂度方面均有显著提升。其快速恢复体二极管降低了反向恢复损耗，有助于简化外围电路设计。该器件还具有出色的短路耐受能力，适用于各种工业和汽车应用。
C3M0075120J 广泛应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中，例如电动汽车（EV）充电器、车载充电机（OBC）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、能源存储系统和高压 DC-DC 转换器等。其优异的性能使其成为替代传统硅基功率器件的理想选择，尤其适合需要高频率开关和高温运行的场合。
C3M0065120D、C3M0075120K、C2M0075120D、SiC MOSFETs from ROHM (如 SCT30N120) 和 Infineon (如 IMZA65R048M1H)
