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GA1210A331GBEAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 15:17:33 查看 阅读:8

GA1210A331GBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率、高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效功率转换的场景。
  这款芯片基于沟槽式 MOSFET 技术设计,能够有效降低传导损耗并提高整体系统效率。其封装形式经过优化,确保良好的散热性能和可靠性,适用于严苛的工作环境。

参数

型号:GA1210A331GBEAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源电压):120V
  RDS(on)(导通电阻):3.3mΩ(典型值,@ VGS=10V)
  IDS(连续漏极电流):100A
  VGS(栅源电压):±20V
  功耗:400W
  封装:TO-247-3
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

1. 极低的导通电阻 RDS(on),可显著减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关特性,支持高频操作,适合现代高效能功率转换应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在过载条件下的鲁棒性。
  4. 具备优异的热性能,确保长时间稳定运行。
  5. 支持大电流处理能力,满足工业级负载需求。
  6. 工作温度范围广,适应各种恶劣环境条件。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. 电机驱动与控制
  3. 逆变器和 UPS 系统
  4. 太阳能逆变器及能源管理系统
  5. 工业自动化设备中的功率模块
  6. 电动车及混合动力车的动力系统
  7. LED 照明驱动电路

替代型号

GA1210A331GBEAT32G, IRF840, STP100NF12Z

GA1210A331GBEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容330 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-