时间：2025/5/19 8:33:24
阅读：4
GA1210A272JXBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于中高压场景下的高效能量转换与管理。其封装形式为TO-263（DPAK），能够提供良好的散热性能以满足高功率应用需求。
最大漏源电压：1200V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：14A
导通电阻：0.05Ω
栅极电荷：80nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，3. 快速开关特性，减少开关损耗。
4. 强大的过流保护功能，提高系统可靠性。
5. 封装具备优异的热性能，确保长时间稳定运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源设计中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压电路。
3. 工业级电机驱动控制。
4. 太阳能逆变器及其他新能源设备中的功率转换模块。
5. 各类大功率负载的开关控制。
6. 电动车及混合动力汽车中的电池管理系统。
IRFP460, STW13DM2H, FDP17N12
