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GA1210A222JBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:17:06 查看 阅读:31

GA1210A222JBBAR31G 是一款高性能的功率晶体管,广泛应用于高电压和大电流场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备出色的开关特性和低导通损耗,适合用于工业电源、电机驱动以及逆变器等应用领域。
  这款晶体管属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)系列,具有高效率和高可靠性的特点。通过优化芯片结构设计,其开关速度得以提升,同时保持较低的热耗散特性。

参数

型号:GA1210A222JBBAR31G
  类型:IGBT
  额定电压:1200V
  额定电流:40A
  集电极-发射极饱和电压:≤2.0V(典型值1.8V,@IC=40A,VGE=15V)
  输入电容:1400pF
  开通时间:0.2μs
  关断时间:0.3μs
  最大工作结温:-55℃~+175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 高耐压能力:支持高达1200V的工作电压,适用于多种高压场景。
  2. 大电流承载能力:可承受40A的连续电流,满足大功率应用需求。
  3. 快速开关性能:优化了开通和关断时间,降低了开关损耗,提升了整体系统效率。
  4. 低导通损耗:集电极-发射极饱和电压较低,减少了导通时的能量损耗。
  5. 宽温度范围:能够在极端环境下稳定工作,适应从低温到高温的各种工况。
  6. 高可靠性:经过严格测试,确保长期使用中的稳定性和耐用性。
  7. 封装坚固:采用TO-247封装,散热性能优异,便于安装和集成。

应用

1. 工业电源转换设备
  2. 不间断电源(UPS)系统
  3. 太阳能逆变器
  4. 电机驱动与控制
  5. 焊接设备
  6. 高频感应加热装置
  7. 轨道交通牵引系统

替代型号

GA120N65S4D
  IXGH40N120T
  FF40R12W1
  CMF40A120

GA1210A222JBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-