GA1210A222JBBAR31G 是一款高性能的功率晶体管,广泛应用于高电压和大电流场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备出色的开关特性和低导通损耗,适合用于工业电源、电机驱动以及逆变器等应用领域。
这款晶体管属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)系列,具有高效率和高可靠性的特点。通过优化芯片结构设计,其开关速度得以提升,同时保持较低的热耗散特性。
型号:GA1210A222JBBAR31G
类型:IGBT
额定电压:1200V
额定电流:40A
集电极-发射极饱和电压:≤2.0V(典型值1.8V,@IC=40A,VGE=15V)
输入电容:1400pF
开通时间:0.2μs
关断时间:0.3μs
最大工作结温:-55℃~+175℃
封装形式:TO-247
1. 高耐压能力:支持高达1200V的工作电压,适用于多种高压场景。
2. 大电流承载能力:可承受40A的连续电流,满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能:优化了开通和关断时间,降低了开关损耗,提升了整体系统效率。
4. 低导通损耗:集电极-发射极饱和电压较低,减少了导通时的能量损耗。
5. 宽温度范围:能够在极端环境下稳定工作,适应从低温到高温的各种工况。
6. 高可靠性:经过严格测试,确保长期使用中的稳定性和耐用性。
7. 封装坚固:采用TO-247封装,散热性能优异,便于安装和集成。
1. 工业电源转换设备
2. 不间断电源(UPS)系统
3. 太阳能逆变器
4. 电机驱动与控制
5. 焊接设备
6. 高频感应加热装置
7. 轨道交通牵引系统
GA120N65S4D
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