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GA1210A222GXBAT31G 发布时间 时间:2025/7/4 18:54:09 查看 阅读:12

GA1210A222GXBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提升系统效率并降低能耗。
  其封装形式为TO-252(DPAK),支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和小型化设计。由于其出色的电气特性和可靠性,这款芯片在消费电子、工业控制和通信设备中得到了广泛应用。

参数

型号:GA1210A222GXBAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):2.2mΩ
  Id(连续漏极电流):120A
  Qg(栅极电荷):78nC
  Vgs(th)(阈值电压):2.2V
  fT(截止频率):1.4MHz
  封装:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1210A222GXBAT31G具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),有助于减少导通损耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力(120A),适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,降低了开关损耗,适用于高频电路。
  4. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,易于集成到紧凑型设计中。
  6. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适应各种恶劣环境条件。
  7. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压电路。
  3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  5. 大功率LED驱动器中的电流调节元件。
  6. 各类功率变换模块中的关键功率器件。

替代型号

IRFZ44N
  STP120NF06L
  FDP150AN65S

GA1210A222GXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-