GA1210A182GBEAT31G 是一款高性能的存储芯片,主要用于大容量数据存储解决方案。该型号属于 NAND Flash 类型,采用 MLC(多层单元)技术,提供高密度存储和快速读写能力。它广泛应用于固态硬盘 (SSD)、嵌入式存储设备以及消费类电子产品中。
该芯片支持 ONFI(Open NAND Flash Interface)标准协议,具备较低的功耗和较高的可靠性,适合需要长时间稳定运行的场景。
容量:128GB
接口类型:ONFI 3.1
工作电压:2.7V - 3.6V
数据传输速率:最高 200 MB/s
擦写寿命:3000 次
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA
I/O 引脚电压:1.8V
GA1210A182GBEAT31G 的主要特点是其大容量存储能力与高效能表现。该芯片内置 ECC(错误校验与纠正)功能,可以显著提升数据的可靠性和完整性。
此外,其低功耗设计使得它在移动设备中的应用更为广泛。MLC 技术的应用使其能够在每个存储单元中保存多个比特的数据,从而大幅提高存储密度并降低单位成本。
同时,这款芯片还支持智能坏块管理功能,能够自动检测并标记坏块,避免数据丢失,进一步增强了产品的耐用性。
GA1210A182GBEAT31G 主要用于以下领域:
1. 固态硬盘 (SSD),为计算机提供快速的数据存取性能。
2. 嵌入式系统,如工业控制设备、医疗仪器等。
3. 移动设备,包括智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
4. 网络存储设备,例如 NAS(网络附加存储)。
由于其高可靠性与低功耗的特点,也非常适用于需要长期数据保存的场合。
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