GA1210A181JXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。
该芯片能够显著降低功耗并提升效率,同时提供出色的热性能和可靠性,适合在严苛的工作环境下使用。
型号:GA1210A181JXBAR31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):120V
最大栅源电压(Vgss):±20V
最大连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
输入电容(Ciss):2200pF(典型值)
工作温度范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
GA1210A181JXBAR31G 的主要特性包括以下几点:
1. 低导通电阻 (Rds(on)):有助于减少传导损耗,从而提高系统效率。
2. 高速开关能力:低栅极电荷 (Qg) 和快速开关速度使其非常适合高频应用。
3. 优异的热性能:采用大功率封装形式,具备良好的散热能力。
4. 高可靠性:经过严格的质量测试,能够在恶劣环境中长期稳定运行。
5. 宽工作温度范围:支持从低温到高温的应用环境,扩展了其适用性。
6. 低反向恢复电荷 (Qrr):降低了开关过程中的能量损失,进一步提升了效率。
该芯片广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源 (SMPS):作为主开关器件,用于高效能 DC-DC 或 AC-DC 转换。
2. 电机驱动:适用于工业自动化、家用电器及电动工具中的无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 太阳能逆变器:用于光伏系统的 MPPT 控制和逆变输出。
4. 汽车电子:支持汽车级负载切换、启动/停止系统以及其他相关功能。
5. 工业控制:如伺服驱动器、不间断电源 (UPS) 等对效率和稳定性要求较高的场合。
GA1210A181KXBAR31G, IRF7739, FDP150N120SBD