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GA1210A181JBEAT31G 发布时间 时间:2025/5/21 10:24:44 查看 阅读:3

GA1210A181JBEAT31G 是一款高性能的功率晶体管,主要用于高频开关应用和功率放大器设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,能够在高频率和高电压环境下稳定工作。其出色的性能使其成为射频和微波通信领域的重要组件。
  该型号通常用于需要高效功率转换和低损耗的应用场景,例如无线通信基站、雷达系统以及卫星通信设备等。此外,它还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在严苛的工作条件下长期运行。

参数

类型:功率晶体管
  封装形式:TO-263
  最大集电极电流:15A
  最大集电极-发射极电压:120V
  最大耗散功率:70W
  增益带宽积:10GHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  特征频率:12GHz
  插入损耗:0.5dB
  噪声系数:2.5dB

特性

GA1210A181JBEAT31G 的主要特点是其高频性能优异,适合在高达 10GHz 的频率范围内工作。同时,该器件具有较低的插入损耗和较高的增益,能够有效减少信号传输过程中的能量损失。
  此外,它的热设计经过优化,可确保在高功率输出时仍能保持较低的工作温度。这种稳定性对于需要长时间连续运行的设备尤为重要。
  该器件还具备良好的线性度和抗干扰能力,这使其特别适用于对信号质量要求较高的通信系统中。通过使用此功率晶体管,可以实现更高效的功率放大和更好的系统性能。

应用

GA1210A181JBEAT31G 广泛应用于射频功率放大器、无线通信基站、雷达系统、卫星通信设备以及其他需要高频功率处理的电子设备。
  在无线通信领域,该器件常被用作功率放大器的核心组件,以提高信号传输距离和覆盖范围。在雷达系统中,它可以增强发射机的输出功率,从而提升探测精度和距离。
  此外,该器件还可用于工业加热设备、医疗成像设备以及航空航天领域的各种电子系统中,为这些设备提供可靠的高频功率支持。

替代型号

GA1210A181JBEAT32G, GA1210A181JBEAT33G

GA1210A181JBEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-