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GA1210A152FXBAR31G 发布时间 时间:2025/7/2 14:50:28 查看 阅读:6

GA1210A152FXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  这款芯片通常被设计为 N 沟道增强型场效应晶体管,其封装形式可能根据具体需求有所变化,但通常以表面贴装(SMD)为主,适合自动化生产环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:纳秒级
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210A152FXBAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关性能,适合高频应用场合。  4. 强大的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
  5. 小尺寸封装,节省电路板空间,便于集成到紧凑型设计中。
  6. 优异的抗电磁干扰能力,保证在复杂电磁环境下稳定运行。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  3. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器。
  4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
  5. 充电器及适配器中的功率转换模块。
  6. LED 驱动器及其他高效能电力电子设备。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP5500
  IXTP120N06T2

GA1210A152FXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-