GA1210A152FBLAR31G 是一款由 General Semiconductor 生产的高速整流二极管。该器件采用 TO-252 封装形式,具有高效率和低反向漏电流的特点,适合在高频开关电源、DC-DC 转换器以及脉宽调制(PWM)应用中使用。
这款二极管基于肖特基技术设计,具有快速恢复时间,能够显著降低功率损耗并提升整体电路性能。
最大正向电流:6A
峰值反向电压:100V
正向压降(典型值):0.45V
反向恢复时间:小于 25ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-252
GA1210A152FBLAR31G 的主要特点是其快速恢复时间和较低的正向压降,这使得它非常适合高频开关应用。由于采用了肖特基结构,该器件具有极低的反向漏电流,在高温环境下仍能保持稳定性能。
此外,TO-252 封装提供良好的散热性能,并且易于安装在表面贴装型 PCB 上,从而减少组装复杂性。此二极管还具备出色的电气稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
GA1210A152FBLAR31G 广泛应用于各种高频功率转换场景,包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)中的整流器
- DC-DC 转换器
- PWM 控制电路
- 可再生能源系统中的逆变器
- 各类工业设备中的功率管理模块
其快速响应特性和低功耗使其成为高效能量转换的理想选择。
GA12SMB100T3-G
MUR160
1N5822