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GA1210A151KBEAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:28:07 查看 阅读:4

GA1210A151KBEAT31G 是一款基于砷化镓(GaAs)材料的高性能射频功率晶体管,主要应用于高频通信系统中的功率放大器。该器件采用先进的工艺技术制造,具有高增益、高输出功率和低失真的特点,适用于无线通信基站、雷达和其他射频应用领域。
  该型号晶体管设计工作在特定频率范围内,能够满足多种复杂环境下的使用需求,并且具有较高的可靠性和稳定性。

参数

类型:射频功率晶体管
  材料:砷化镓(GaAs)
  封装形式:SMD
  最大输出功率:40W
  工作频率范围:1.8GHz 至 2.2GHz
  增益:12dB
  电源电压:28V
  插入损耗:2.5dB
  效率:60%
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1210A151KBEAT31G 的主要特性包括:
  1. 高输出功率:能够在指定的工作频率范围内提供高达40W的射频输出功率。
  2. 宽带性能:覆盖1.8GHz至2.2GHz的频率范围,适应多种无线通信应用。
  3. 高增益:具备12dB的增益能力,从而有效提升信号强度。
  4. 稳定性:无论是在高温还是低温环境下,该器件均能保持稳定的性能输出。
  5. 高效能量转换:其效率可达60%,降低能耗并提高系统整体效率。
  6. 小型化封装:采用表面贴装技术(SMD),节省电路板空间并易于集成到现代紧凑型设计中。

应用

该元器件主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站:
   - 能够为基站设备提供高效、稳定的射频功率输出,支持多载波操作。
  2. 军事与航空航天:
   - 在雷达系统中作为关键的功率放大组件,确保远距离探测和精确控制。
  3. 移动通信:
   - 适用于移动网络基础设施建设中的射频前端模块,提高信号传输质量。
  4. 工业无线通信:
   - 用于工业物联网设备中的大功率射频传输部分,实现长距离数据交换。

替代型号

MRF7S1210N, G1210A151KBEA, BLC8G12N

GA1210A151KBEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-