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GA1210A122JXLAR31G 发布时间 时间:2025/5/24 21:53:40 查看 阅读:16

GA1210A122JXLAR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率应用而设计。该器件采用了先进的GaN-on-Silicon技术,能够在高频工作条件下提供卓越的开关性能和低导通电阻。其封装形式通常为表面贴装,适合于紧凑型设计,广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、无线充电器以及通信设备等领域。
  该型号中的部分字符可能代表特定的参数或批次信息,例如电压等级、封装类型、频率范围等。

参数

类型:功率晶体管
  材料:氮化镓(GaN)
  最大漏源电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):8mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:表面贴装

特性

GA1210A122JXLAR31G 具备出色的高频性能和高效的开关能力,这主要得益于其采用的氮化镓材料。与传统的硅基MOSFET相比,GaN晶体管具有更低的导通电阻和更快的开关速度,从而显著降低了功率损耗。
  此外,该器件还具有优异的热稳定性,在高温环境下依然能够保持稳定的性能输出。它支持高达数MHz的开关频率,非常适合高频应用场景,如开关电源、无线充电和电机驱动等。
  GaN技术的使用也使得该晶体管在尺寸上更为紧凑,便于实现小型化设计。同时,其高击穿电压和低寄生电容特性进一步增强了系统的可靠性和效率。
  总之,GA1210A122JXLAR31G 在高频、高效率和高功率密度的应用中表现出色,是现代电力电子系统中的理想选择。

应用

该器件广泛应用于多种高效率、高频场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于提高电源转换效率和减小体积。
  2. DC-DC转换器:适用于需要高效率和快速响应的电源管理系统。
  3. 无线充电器:满足高频和低损耗的要求,提升充电效率。
  4. 电机驱动:用于驱动小型高效电机,特别适合无人机、机器人和其他自动化设备。
  5. 通信设备:如基站和射频功率放大器,提供稳定且高效的功率输出。
  6. 能量回收系统:例如电动汽车的能量回收模块,利用其高效率特性减少能量损失。

替代型号

GA1210A122JXLAR32G
  GA1210A122JXLBR31G
  GAN063-650WSA

GA1210A122JXLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-