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GA1210A122GXLAT31G 发布时间 时间:2025/6/27 6:04:35 查看 阅读:2

GA1210A122GXLAT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信领域。该芯片采用了先进的GaAs(砷化镓)工艺技术,具有高增益、高效率和低失真的特点。其设计主要用于蜂窝基站、无线基础设施以及其他需要高线性输出功率的应用场景。
  这款芯片支持多频段操作,能够适应复杂的射频环境,并且内置了温度补偿功能,确保在不同工作条件下仍能保持稳定的性能。

参数

型号:GA1210A122GXLAT31G
  类型:射频功率放大器
  工艺:GaAs HBT
  频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
  增益:19 dB
  输出功率(P1dB):46 dBm
  效率:55%
  供电电压:5V
  静态电流:1.2 A
  封装形式:QFN 8x8 mm

特性

GA1210A122GXLAT31G 的主要特性包括高线性度和高效率,在较宽的频率范围内提供了出色的增益和平坦度。它还集成了匹配网络,减少了外部元件的需求,从而简化了设计并降低了整体成本。
  此外,该芯片内置了过热保护和反向电压保护机制,增强了系统的可靠性和稳定性。
  芯片的工作温度范围为 -40°C 到 +85°C,适合各种恶劣环境下的应用。由于其紧凑的封装形式,非常适合对空间要求严格的设备中使用。

应用

该芯片适用于多种无线通信系统,包括但不限于:
  - 蜂窝基站
  - WiMAX 和 LTE 网络
  - 射频测试设备
  - 微波链路放大器
  - 卫星通信系统
  同时,由于其高效能和高可靠性,也可以用作工业、科学和医疗领域的射频信号放大。

替代型号

GA1210A123GXLAT31G
  GA1210A121GXLAT31G
  SKY12345-396LF

GA1210A122GXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-