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GA1210A122GXAAR31G 发布时间 时间:2025/5/28 17:51:51 查看 阅读:10

GA1210A122GXAAR31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要用于无线通信领域。该芯片采用了先进的 GaN(氮化镓)工艺技术制造,能够提供高效率和高增益的性能表现。
  其设计适用于多种无线通信标准,包括 LTE、5G 和其他宽带射频应用。凭借出色的线性度和稳定性,这款芯片能够在较宽的工作频率范围内实现优异的表现。

参数

型号:GA1210A122GXAAR31G
  工作频率范围:700 MHz 至 6 GHz
  输出功率:43 dBm 典型值
  增益:12 dB 典型值
  电源电压:28 V
  静态电流:1.2 A 典型值
  效率:50% 最小值
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210A122GXAAR31G 的主要特性包括:
  1. 高效率:采用 GaN 技术,显著提高了射频功率放大器的效率,降低了功耗。
  2. 宽带支持:覆盖从 700 MHz 到 6 GHz 的频率范围,满足多种无线通信需求。
  3. 高输出功率:可提供高达 43 dBm 的输出功率,适合高功率应用场景。
  4. 良好的线性度:通过优化设计,确保在高功率输出时保持较低的失真。
  5. 小型化封装:采用 QFN-16 封装,减小了整体尺寸,便于系统集成。
  6. 稳定性强:在宽温度范围内具有良好的稳定性和可靠性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 无线基础设施设备,如基站功率放大器。
  2. 固定无线接入(FWA)系统中的射频前端模块。
  3. 微波点对点通信链路的功率放大器。
  4. 军用和商用雷达系统的射频信号增强。
  5. 包括 LTE 和 5G 在内的现代通信网络中的功率放大解决方案。
  由于其高效率和大功率特性,这款芯片特别适合需要高功率输出且对效率要求较高的场景。

替代型号

GA1210A123GXAAR31G, GA1210A121GXAAR31G

GA1210A122GXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-