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GA1210A122FBBAT31G 发布时间 时间:2025/5/28 17:50:28 查看 阅读:14

GA1210A122FBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,从而提升了整体效率并减少了热损耗。
  此型号属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-263(DPAK),能够提供优异的散热性能,非常适合于紧凑型设计中的高功率应用。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:118nC
  开关时间:ton=18ns, toff=17ns
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高电流处理能力,适合各种大功率应用场景。
  3. 快速的开关速度,有效降低开关损耗。
  4. 优化的热性能设计,确保在高负载条件下的稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 提供出色的EMI表现,减少对外部电路的干扰。
  7. 可靠的雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐受性。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 汽车电子设备
  6. 工业自动化控制
  7. 电信及网络设备中的功率管理模块

替代型号

IRF3205
  FDP15N10
  STP19NF10
  AON6118

GA1210A122FBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-