GA1210A122FBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,从而提升了整体效率并减少了热损耗。
此型号属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-263(DPAK),能够提供优异的散热性能,非常适合于紧凑型设计中的高功率应用。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:31A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:118nC
开关时间:ton=18ns, toff=17ns
结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流处理能力,适合各种大功率应用场景。
3. 快速的开关速度,有效降低开关损耗。
4. 优化的热性能设计,确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 提供出色的EMI表现,减少对外部电路的干扰。
7. 可靠的雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐受性。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统(BMS)
5. 汽车电子设备
6. 工业自动化控制
7. 电信及网络设备中的功率管理模块
IRF3205
FDP15N10
STP19NF10
AON6118