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GA1210A121GBEAR31G 发布时间 时间:2025/5/13 16:07:05 查看 阅读:20

GA1210A121GBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,具有优异的开关特性和热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制领域。
  这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高效率功率转换电路中,能够有效降低功耗并提升系统的整体性能。

参数

型号:GA1210A121GBEAR31G
  类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):35nC
  开关频率范围:高达 1MHz
  封装形式:TO-247

特性

GA1210A121GBEAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 强大的热性能和可靠性,确保在严苛条件下长期稳定工作。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片对静电放电的耐受能力。
  5. 紧凑且坚固的封装结构,方便散热和安装。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料制造。

应用

GA1210A121GBEAR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动及控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率调节。
  4. 光伏逆变器以及其他新能源相关产品。
  5. 各类负载切换和保护电路。
  6. LED 驱动器和高效能照明解决方案。

替代型号

GA1210A121GBEAR32G
  IRFZ44N
  STP16NF06L

GA1210A121GBEAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-