GA1210A121GBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,具有优异的开关特性和热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制领域。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高效率功率转换电路中,能够有效降低功耗并提升系统的整体性能。
型号:GA1210A121GBEAR31G
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):35nC
开关频率范围:高达 1MHz
封装形式:TO-247
GA1210A121GBEAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场景。
3. 强大的热性能和可靠性,确保在严苛条件下长期稳定工作。
4. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片对静电放电的耐受能力。
5. 紧凑且坚固的封装结构,方便散热和安装。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料制造。
GA1210A121GBEAR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动及控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率调节。
4. 光伏逆变器以及其他新能源相关产品。
5. 各类负载切换和保护电路。
6. LED 驱动器和高效能照明解决方案。
GA1210A121GBEAR32G
IRFZ44N
STP16NF06L