GA1206Y824MBXBR31G 是一款高精度、低功耗的陶瓷多层片式电容器(MLCC),适用于高频和射频电路应用。该型号采用 X7R 介质材料,具有温度稳定性好和容量漂移小的特点,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
该元器件广泛用于电源滤波、信号耦合、去耦以及匹配网络等场景。
类型:多层陶瓷电容器
介质材料:X7R
标称容量:0.022μF
额定电压:50V
尺寸代码:0603英寸
耐温范围:-55℃ 至 +125℃
公差:±20%
封装类型:表面贴装(SMD)
GA1206Y824MBXBR31G 的主要特点包括以下几点:
1. 高可靠性:使用先进的陶瓷材料制造工艺,保证了长期使用的稳定性和耐用性。
2. 温度稳定性:由于采用了 X7R 材料,电容值在工作温度范围内变化较小,满足精密电路设计需求。
3. 小型化设计:0603 英寸封装使其非常适合空间受限的应用场合。
4. 低ESR和低ESL:有助于减少高频噪声并提高电路性能。
5. 符合 RoHS 标准:环保且适合现代电子产品的需求。
这款电容器通常应用于消费电子、通信设备、汽车电子及工业控制等领域。
典型应用场景包括:
- 电源管理模块中的输入输出滤波
- RF 模块中的信号耦合与去耦
- 匹配网络中调整阻抗
- 音频设备中的高频旁路
- 嵌入式系统中的电源滤波
其高频特性和小型化封装使它成为高速数字电路和无线通信的理想选择。
GA1206Y824MBXBR21G
GA1206Y824MBXBR41G
KEMET C0603X7R1H223K500BC
TDK C0603X7R1E223K160AB