时间：2025/5/29 23:36:45
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GA1206Y823MXJBT31G 是一款高性能的存储芯片，主要应用于需要大容量数据存储的设备中。该型号属于 NAND Flash 类型，采用先进的制程工艺，具有高可靠性和低功耗的特点。其设计支持多级单元（MLC）技术，能够有效提升存储密度和性能。
此外，该芯片广泛用于消费类电子产品、工业控制以及嵌入式系统等场景，例如固态硬盘（SSD）、USB 存储设备和内存卡等。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
数据传输速率：400MB/s
封装形式：BGA
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
擦写寿命：3000 次
GA1206Y823MXJBT31G 具备以下显著特性：
1. 高存储密度：通过使用先进的 MLC 技术，能够在有限的空间内提供更高的存储容量。
2. 快速数据传输：支持 Toggle Mode 2.0 接口标准，可实现高达 400MB/s 的数据传输速度。
3. 超低功耗设计：优化了芯片内部架构，大幅降低了运行时的能耗，延长了电池供电设备的续航时间。
4. 稳定性与可靠性：具备完善的错误校正码（ECC）机制和磨损均衡算法，确保数据的安全性和完整性。
5. 广泛的工作温度范围：适应多种恶劣环境条件，特别适合工业控制领域。
该芯片适用于以下应用领域：
1. 固态硬盘（SSD）：
作为核心存储组件，提供大容量和高速读写能力。
2. USB 存储设备：
用于制造高性能的闪存盘，满足用户对便携式存储的需求。
3. 内存卡：
如 SD 卡、microSD 卡等，为数码相机、手机等设备提供扩展存储功能。
4. 嵌入式系统：
在需要长期稳定存储的场合，例如工业自动化设备、医疗仪器等。
GA1206Y823MXJBT32G, GA1206Y823MXJBT33G
